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    中国成功绕过国外专利壁垒,研成22纳米级芯片光刻机

    时间: 2018-11-30      来源: 中国青年报     



    该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米,所采用的新技术绕过了国外相关知识产权壁垒。光刻机是制造芯片的核心装备,我国在这一领域长期落后,中科院光电的新设备为中国相关技术的进步开辟了新的道路。

    由中国科学院光电技术研究所研制的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”今天通过验收。

    该装备光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

    中科院光电所科研人员展示利用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器。

    采用超分辨光刻设备加工的超导纳米线单光子探测器。

    超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品。

    当天,中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。

    图片中科院光电所科研人员操作超分辨光刻设备。

    光刻机是制造芯片的核心装备,我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术,把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上,一般来说,光刻分辨力越高,加工的芯片集成度也就越高。但传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响,分辨力进一步提高受到很大限制。为获得更高分辨力,传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机,但技术难度极高,装备成本也极高。

    图片超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统。

    超分辨光刻设备核心部件超分辨光刻镜头。该项目副总设计师胡松介绍,中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成一条全新的纳米光学光刻技术路线,具有完全自主知识产权,为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

    项目副总设计师胡松研究员介绍超分辨光刻装备研制项目攻关情况。

    据了解,这种超分辨光刻装备制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科技大学、四川大学华西医院、中科院微系统所等多家科研院所和高校的重大研究任务中得到应用。

    (微信编辑&记者:邱晨辉。供图:中科院科技摄影联盟。)

    责任编辑: 史娜

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